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解析LED光譜技術 挑戰超高亮度LED產品

   
    发布日期:2009-08-25         
阅读:108     
 
 
   各界稱為兼具省電效能及綠色環保「發光二極體」技術,一直以來就是身懷絕技各國LED廠商們長期重點投入產業,其目的不外乎是在追求更高效率及超高亮度的LED產品。綜觀目前LED發展趨勢與技術,在高亮度LED迅速發展與紅外線LED持續擴大應用,加上一般亮度LED可見光穩定成長之餘,從上、中、下游LED發展趨勢及表現來看,則呈現出穩定成長走勢。

   不過,目前各家廠商品質良莠不齊、低價及技術研發都在強力競爭下的LED產業,廠商要如何面對競爭激烈及技術發展,將成為當前所要因應的問題。本文專訪國立中興大學材料工程學系專任教授武東星博士暢談LED市場應用趨勢及目前校園實驗室中所研究的新技術。

 ■LED技術發展與市場應用 眾多門檻尚待突破

   在眾多半導體材料中,LED只是其中一種,其主要結構呈現磊晶狀態,並利用電能直接轉化為光能的不變原則下,可在半導體內正負極2個端子施加電壓,當電流通過時,促使電洞與電子相互結合,其它剩餘能量便會以光的形式產生釋放,其能階高低使光子能量產生不同波長的光,以致於造就LED為基礎的半導體照明產業鏈。

   另一方面,在下一代照明設備與區域網路光通訊應用慢慢成形之際,LED勢必將會散發出更為耀眼光芒與前景;這是因為在與一般發熱鎢絲燈泡或者是水銀日光燈相較之下,LED光源具有較高發光效能、壽命長久、省電性能佳,甚至具有低污染等優勢。由此可見,各種照明設備及顯示光源市場需求擴大,形成規模效應、技術效應等趨勢,逐漸形成LED廠商趨之若鶩情況,以及大力投入高效能LED開發技術。



   雖然白光LED技術成熟度目前已發展到某個階段,但…畢竟單顆的LED功率大約是0.1W左右,光通量會有所限制;換句話說,就是必須將多顆LED經由整合後,才能以「新一代光源」取代白熾燈源。雖然作為室內用照明光源燈具等實際應用案例,或多或少都已市場上出現應用,不過,其高單價實在難以普及性的推廣;因此,要符合市場所期待的合理價格,尚須等上一段時間。

   因此,LED照明能否持續擴大市場,其主要問題在於亮度、專利權壟斷、使用特色、單價過高…等癥結;因此,在這一兩年之內LED照明要完全取代室內照明設備,其難度相當高。不過,絕大多數LED廠商還是不願放棄,持續地嘗試進入其它特殊應用市場為基礎,例如:戶外大型顯示器、車用指示燈、儀表板、手持式產品背光源、交通標誌…等多項資訊系統應用,藉以累積實力及經驗持續加強開發LED照明技術,期盼未來能將LED以生俱來特性發揮至極,開創出照明設備新的一番局勢。


擺脫國外大廠專利權糾纏 迫切發展獨有LED專利權實力

   自從LED技術發展至今,超高亮度多數LED專利權大都掌握在歐美、日等LED大廠手上,技術層次不高的台灣廠商,則為了規避猶如天網交織的LED專利權,無法採用最具效率之技術,使技術與產品卻只能在中、低階層應用市場打轉,因此,要如何打破這個窘境,便成為台灣LED廠商當務之急。在中興大學材料工程學系實驗室研究中,就是將精密機械製造概念引入半導體製程中,以自行設計的設備,結合反射鏡及低溫熱壓式晶圓黏貼技術,成功製作出高反射率且散熱良好的新型超高亮度LED。


   在製程成本及複雜方面,還可以比美、日等國降低不少成本,甚至在產品良率、省電效率、發光等效能上,都不遜於美、日LED產品。中興大學材料工程學系實驗室則是以全新研發設計技術,成功研發出比傳統LED更為明亮度,價格還能持續降低的高效能LED,將可望協助台灣廠商發展出更具國際競爭力的LED產品。而在技術轉移方面,已授權給台灣多家廠商後,低價成本、品質優異的LED新產品,已銷售到日本、韓國和中國…等亞洲地區,頗受全球光電大廠關注。

 ■光的重要性與其致勝之道

 隨著這幾年磊晶技術迅速發展之下,經由選擇高純度的單晶原料,再由適當溫度控制及精確地掌握各組成元素分子大小匹配性,已可獲得高品質雙異質結構半導體或量子井結構的LED,便能將不同種類的單晶元素逐層地建構起來。更進一步討論,電光轉換效率也就是內部結構量子化效率(Internal Quantum Efficiency;IQE)已經高達90%以上;另外,在可見光LED材料選擇上則是以AlGaInP為最大宗,這是因為其晶格常數(lattice constant)與GaAs基板具有絕佳匹配性。不過…由於GaAs基板能隙小於這些材料能隙,加上LED所散出的光又屬於等向性光源;因此,有將近50%光源會在進入能隙較小GaAs基板時,便會受到吸收或者耗損。

 除此之外,倘若LED結構沒有適當地安排電流分佈,本身材料也會吸收其光源,而光源將從高折射率半導體傳遞到外圍的低折射率空氣(n=1),絕大部分的光源將會受到反射影響,真正的問題將發生在LED外部量子效率(External Quantum Efficiency;EQE)大幅減少,甚至可能會低到剩下幾個百分比而已。

 為滿足上述問題,並提出因應的解決之道,中興大學武博士所研發出高亮度LED製程技術,也就是將結合反射鏡及晶片黏貼技術為主要基礎概念,用一個具有反射鏡的基板,再採用自行研發的工具進行晶片黏貼動作,以低溫(350∼450℃)、短時間(15∼30min)熱處理,黏貼至LED磊晶膜上,而後再將會吸光之GaAs基板去除。

 在反射鏡材料選擇上,則可選用應用在LED之P型歐姆接觸(Ohmic contact)材料,如:AuBe(金鈹)或AuZn(金鋅)合金材料,這是因為AuBe、AuZn等合金材料具有低蒸氣壓、高融點、高表面原子擴散速率等特性,不但可使這項製程過程能夠使金屬與半導體接合在一起,達到理想上零壓降,且具有雙向導通的電性特性,完成歐姆接觸。

 另一方面,還可作為LED與永久基板附著層之用,並具有反射鏡功能,再經實際驗證後,LED亮度確實有比GaAs作為吸光基板來得更具改善效果。至於前段所提到具有低溫及短時間熱處理特性,便能使LED電特性仍舊可保持原先在黏貼之前LED的相同電性。

 

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