蓝宝石由于具有与GaN大体匹配的晶格，以及与同质衬底相比的成本效益，是LED开盒即用晶片的卓越材料。在诸如商业和住宅照明等应用不断增加的需求推动下，为了满足今后数年里预期的市场增长，LED市场将需要越来越多的低成本LED级蓝宝石。蓝宝石的高熔点导致诸如氧空位和间隙原子等点缺陷的平衡量 [1]。缺陷的浓度足够高时，就会导致小角度晶界；后者以具有极高位错密度的线性区域作为特征。
确定蓝宝石材料的质量，以及是否达到LED应用的要求，乃是整个制造价值链不可缺少的组成部分。评估开盒即用晶片质量方法之一的一种参照测试方法称为腐蚀坑密度（etch pit density，简称EPD）测试法。EPD测量值一般用于确定衬底上外延层的质量。近来，LED行业已将EPD（腐蚀坑密度法）用于评估蓝宝石衬底的质量，以及其生产优质LED的适用性。
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