发射绿光的二极管。发光中心波长在560nm左右。用于霓虹灯和指示器、LED显示器的光源以及液晶面板的背照灯光源等。
绿色LED与红色LED及蓝色LED相比，被认为尚有较大的改进余地。组合红色LED、绿色LED和蓝色LED构成LED显示器或液晶面板的背照灯光源时，为了调制成亮度高且均衡的白色，考虑到人眼的视觉灵敏度，RGB三色LED光量的分配比例需为约3:6:1或者约3:7:1.因绿色LED的亮度不足，因此必须使用多个绿色LED来提高输出功率。绿色LED主要使用的GaN类半导体材料比用于蓝色LED时的效率低，输入相同的电力，光输出功率较低。
这种状况开始出现改观。日本国内外的大学和LED芯片厂商等已开始着手研究通过改变GaN结晶的成长面，来大幅提高效率。如果GaN类半导体的结晶面得以改变，有可能会将绿色LED的效率提高至目前的2倍以上。
目前销售的GaN类半导体绿色LED效率低下的原因主要在于压电场。压电场是指因结晶构造的应力而导致的压电极化所产生的电场。市场上销售的绿色LED多是以GaN结晶的极性面c面（0001）为成长面，以其法线方向（c轴）为成长轴的层积GaN类半导体层等。通过改变成长轴来减弱压电极化，以与GaN类结晶的c面垂直的称为a面或m面的非极性面，或者相对于c面倾斜的半极性面为成长面，以每个面的法线方向为成长轴的绿色LED的研究非常活跃。
注：InGaN和AlInGaP在绿色波长帯的外部量子效率均大幅下降。
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