当今系统可靠性设计和分析成为工业级系统的一个重要举措，由此也遇到了更多的挑战，如静电放电(ESD)和电磁干扰(EMl)及其一些极端应用环境，如航空航天、汽车和医疗领域。这些已成为设计能否顺利及时完成和产品使用寿命的关键。应该说，影响设计完成和产品与系统使用寿命特殊性和重要性的因素由多种，而普遍而又突出是SiC MOSFET可靠性保护与IGBT和MOSFET免受ESD损坏是关系并成为到工业级系统失效率和寿命的痛点与挑战。这是工业级系统设计者与厂商必须应对的重要热点所在。

值此本文仅将对SiC MOSFET的快速短路检测与保护和IGBT和MOSFET免受ESD损坏与静电击穿及新型静电防护技术等二大热点作研讨。与此同时对伴随可靠性解决方案中的SiC MOSFET的快速短路检测与保护及高速SoC和RFIC电磁串扰解决方案应用中的举措及新趋势作分析说明。

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