近日，日本京瓷（Kyocera）开发了一种MicroLED制造新技术，通过硅衬底取代传统昂贵的蓝宝石衬底，将Micro LED成本降至一半以下。
据悉，硅衬底GaN技术是目前Micro LED制造重要路线之一。相较传统的蓝宝石衬底GaN技术，硅衬底GaN技术在制程良率、晶圆成本、IC工艺兼容度等方面具有显著优势。
而京瓷研发的新技术，具体而言是通过硅衬底上形成氮化镓层，并留出狭长的缝隙进行遮蔽，然后在氮化镓层上再次成膜，氮化镓层从缝隙中延伸到掩膜材料之上，将其剥离之后即可完成制作。京瓷已对该技术进行相关专利申请并争取在2025财年实现应用。
值得注意的是，近年来，京瓷陆续与LED厂商合作开发Micro LED产品与技术。2019年，京瓷集团与Micro LED技术厂商glō合作开发了一款1.8英寸Micro LED显示器，解析度可达200 PPI，亮度高达1百万nit，产品可应用于智能穿戴领域。
2020年，京瓷与欧司朗合作开发一项Micro LED显示驱动技术，能避免使用较低的像素电流通过Micro LED芯片，从而减少低灰阶水平下的亮度偏差和色彩偏移问题。该技术可应用于AR用Micro LED显示器中，为AR眼镜带来高亮度与出色的色彩显示。
在此大背景下，2022年11月24-25日（周四-周五），由高工LED、高工产业研究院（GGII）主办的主题为“弱周期产业大变局强合作显示大可为”2022高工LED显示年会将在深圳机场凯悦酒店举行。
来自芯片、封装、显示屏、设备材料和IC电源等产业链上下游及面板、电视、消费电子厂商的800+位企业领袖和行业精英将围绕新时期下的显示产业供应链、市场发展、技术创新等环节的深入探讨在LED显示行业弱周期之下，如何通过挖潜内部并与产业链通力合作，提升产品性能，以高性价比打开小间距显示、Mini直显和Mini背光更为广阔的市场空间和应用场景。 |
