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LED 原料特性

    作者：宏拓新软件
    发布日期：2008-11-18         
阅读：45     
 
 
Material Light-Emitting
Layer Substrate Production
Method Light-
Em itting
Color Light-
Emitting
Wavelength
(nm) External
Quantum
Efficiency
Max.(%) Visual
Sensitivit y
Efficiency
(lm/W) Axial
Photometric
05mm Lamp
(mcd) GaP (Zn, O)
Ga0.65Al0.35As
Ga0.65Al0.3 5As
GaAs0.6P0.4
GaAs0.45P0.55(N)
GaAs0.35P0.65(N) GaP
GaAs
GaAlAs
GaAs
GaP
GaP Liquid phase epitaxy
Liquid phase epitaxy (SH)
Liquid phase epitaxy (DH)
Vapor phase epitaxy+diffusion
Vapor phase epitaxy+diffusion
Vapor phase epitaxy+diffusion Red
Red
Red
Red
Red
Red/Orange 700
660
660
660
650
630 2
7
21
0.15
0.5
0.65< /td> 1
2.1
12
0.07
0.35
1.2 30
500
500020
100
300 GaAs0.25P0.75(N)
GaAs0.15P0.85(N)
GaAs0.1P0.9(N) GaP
GaP
GaP Vapor phase epitaxy+diffusion
Vapor phase epitaxy+diffusion
Vapor phase epitaxy+diffusion Amber
Yellow
Yellow 610
590
583 0.6< br>0.25
0.2 2
1.1
1.1 300
200
200 GaP(N)
GaP(N)
GaP GaP
GaP
GaP Liquid phase epitaxy
Liquid phase epitaxy
Liquid phase epitaxy Yellow
Yellow/Green
Pure Green 570
560
555 0.7
0.3
0.2 4.3
1.6
1.36 400
250
200 GaN
SiC
ZnSe*
ZnS*
a-Al2O3
SiC
ZnSe
ZnS
Liquid phase epitaxy (MIS)
Liquid phase epitaxy
Liquid phase epitaxy+diffusion
MOCVD (MIS) Blue
Blue
Blue
Blue
430
480
480
460 0.1
0.04
0.03
0.01 0.14
0.04
---
---< /td> 10(10mA)
12
2(2mA)
2(10mA)

Note: Items marked with an asterisk (*) have not been put to practical use. The axial photometric value is the value measured at 20mA.
 

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